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| Numero di parte | IRF6618TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 170A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5640pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MT |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MT |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 130A
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Disponibile: 0
