Infineon Technologies IRF3710LPBF

Numero di parte: IRF3710LPBF
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 1240 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.98000/pcs
10 pcs
0.93150/pcs
100 pcs
0.74845/pcs
500 pcs
0.58212/pcs
1,000 pcs
0.48233/pcs

Totale:0.98000/pcs

Unit Price:

0.98000/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IRF3710LPBF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	57A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3130pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 28A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA