Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies IPN50R950CEATMA1

Numero di parte
IPN50R950CEATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
CONSUMER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IPN50R950CEATMA1
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Pacchetto / caso -
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