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| Numero di parte | IPD50R2K0CEBTMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: CONSUMER
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
Disponibile: 0
