Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BSS84P-E6327

Infineon Technologies BSS84P-E6327

Numero di parte
BSS84P-E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BSS84P-E6327
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 19pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 170mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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