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| Numero di parte | BSC072N025S G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 40A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 8TDSON
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Disponibile: 20000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
Disponibile: 5000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Disponibile: 20000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Disponibile: 50000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
Disponibile: 25000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
Disponibile: 5000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Disponibile: 0
