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| Numero di parte | AUIRFS4127 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 72A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5380pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 44A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC BUFFER GATE DRVR 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC DVR HALF-BRDG SELF OSC 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Disponibile: 2500
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IR_HSS-LSS-GATEDRIVER
Disponibile: 0
