GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR

Numero di parte: MUR20010CTR
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Diodi - Raddrizzatori - Array

GeneSiC Semiconductor

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Parametro del prodotto

Numero di parte	MUR20010CTR
Stato parte	Active
Configurazione diodi	1 Pair Common Anode
Tipo diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 100A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	25µA @ 50V
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore	Twin Tower