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| Numero di parte | SSU1N60BTU_WS |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 450mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Disponibile: 50400
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
Disponibile: 5040
