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| Numero di parte | NDC652P |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | -20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: IC RELAY DRIVER SOT-23
Disponibile: 48000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOT
Disponibile: 0
