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| Numero di parte | FDB110N15A |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 92A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4510pF @ 75V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 234W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 92A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Disponibile: 70400
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Disponibile: 800
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
Disponibile: 800
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
Disponibile: 800
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Disponibile: 1600
