Numero di parte | DMN3025LFG-13 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 605pF @ 15V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.8A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Disponibile: 1626000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
Disponibile: 0