Numéro d'article | CRG0402J5R6 |
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État de la pièce | Active |
Résistance (Ohms) | 5.6 |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 0.063W, 1/16W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±400ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / cas | 0402 (1005 Metric) |
Package de périphérique fournisseur | 0402 |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - Assis (Max) | 0.016" (0.40mm) |
Nombre de cessations | 2 |
Taux d'échec | - |
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE GEN PURP 100V 700MA SFLAT
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 100K OHM 1% 1/20W 0201
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 100 OHM 1% 1/20W 0201
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 105K OHM 1% 1/20W 0201
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 105 OHM 1% 1/20W 0201
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 10K OHM 1% 1/20W 0201
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 10.5K OHM 1% 1/20W 0201
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 10 OHM 1% 1/20W 0201
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Fabricant: TE Connectivity Passive Product
La description: RES SMD 10.5 OHM 1% 1/20W 0201
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