Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples PMFPB8040XP,115

Nexperia USA Inc. PMFPB8040XP,115

Numéro d'article
PMFPB8040XP,115
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    -
Total:0 Unit Price:
0
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article PMFPB8040XP,115
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DFN2020-6
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Produits connexes
PMFPB6532UP,115

Fabricant: NXP USA Inc.

La description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

En stock: 0

RFQ -
PMFPB6545UP,115

Fabricant: NXP USA Inc.

La description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

En stock: 0

RFQ -
PMFPB8032XP,115

Fabricant: Nexperia USA Inc.

La description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

En stock: 3000

RFQ 0.12760/pcs
PMFPB8040XP,115

Fabricant: Nexperia USA Inc.

La description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

En stock: 0

RFQ -