Infineon Technologies IRFH8202TRPBF

Numéro d'article: IRFH8202TRPBF
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Paramètre du produit

Numéro d'article	IRFH8202TRPBF
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	47A (Ta), 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7174pF @ 13V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-PQFN (5x6)
Paquet / cas	8-PowerTDFN