Infineon Technologies IPP60R099C6

Numéro d'article: IPP60R099C6
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
2.96000/pcs
10 pcs
2.79400/pcs
100 pcs
2.29110/pcs
500 pcs
1.85522/pcs
1,000 pcs
1.56464/pcs

Total:2.96000/pcs

Unit Price:

2.96000/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IPP60R099C6
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	37.9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.21mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	119nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2660pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 18.1A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO-220-3
Paquet / cas	TO-220-3