Infineon Technologies IPD50R1K4CEBTMA1

Numéro d'article: IPD50R1K4CEBTMA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Paramètre du produit

Numéro d'article	IPD50R1K4CEBTMA1
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.1A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	178pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63