Numéro d'article | BCR183E6359HTMA1 |
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État de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Résistance - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 10k |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package de périphérique fournisseur | PG-SOT23-3 |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
En stock: 30000
Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS PNP SOT23
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
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La description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
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