Infineon Technologies IRFB31N20DPBF

Osa numero: IRFB31N20DPBF
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
1.09500/pcs
10 pcs
1.04050/pcs
100 pcs
0.83605/pcs
500 pcs
0.65027/pcs
1,000 pcs
0.53879/pcs

Kaikki yhteensä:1.09500/pcs

Unit Price:

1.09500/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IRFB31N20DPBF
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajan laitepaketti	TO-220AB
Pakkaus / kotelo	TO-220-3