Osa numero | DMN3023L-13 |
---|---|
Osan tila | Active |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 30V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.4nC @ 10V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 873pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 900mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 10V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajan laitepaketti | SOT-23 |
Pakkaus / kotelo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Varastossa: 1626000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
Varastossa: 0