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| Numero de parte | SI7983DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 600µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 1.4W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
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