Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H(TE12L,Q

Numero de parte: TPCC8002-H(TE12L,Q
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	TPCC8002-H(TE12L,Q
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	22A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSON
Paquete / caja	8-VDFN Exposed Pad