Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80W,S4X

Numero de parte: TK10A80W,S4X
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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50 pcs
1.26230/pcs
100 pcs
1.15005/pcs
500 pcs
0.93126/pcs
1,000 pcs
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Total:1.57000/pcs

Unit Price:

1.57000/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	TK10A80W,S4X
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 450µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 300V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 4.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack