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| Numero de parte | TK100S04N1L,LQ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5490pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK+ |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
En stock: 47
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
En stock: 75
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
En stock: 140
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
En stock: 186
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
En stock: 2082
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
En stock: 164
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
En stock: 0
