Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC,L3F

Numero de parte: SSM3J35CTC,L3F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	SSM3J35CTC,L3F
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	250mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	42pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	CST3C
Paquete / caja	SC-101, SOT-883