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| Numero de parte | 2SK3811-ZP-E1-AY |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17700pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.5W (Ta), 213W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 55A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
En stock: 0
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 60V 40A
En stock: 0
