Numero de parte | BUK9Y7R6-40E,115 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 79A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2403pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 95W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / caja | SC-100, SOT-669 |
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 80V LFPAK
En stock: 0
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
En stock: 1500
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 40V LFPAK
En stock: 0