Numero de parte | JANTX1N6631US |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 1.4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 1.4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 60ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 4µA @ 1100V |
Capacitancia @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | E-MELF |
Paquete de dispositivo del proveedor | D-5B |
Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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