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| Numero de parte | IXTA06N120P |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 600mA (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.3nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 Ohm @ 300mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (IXTA) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
En stock: 550
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
En stock: 107
