Numero de parte | SIDC03D120F6 |
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Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 2A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.1V @ 2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 27µA @ 1200V |
Capacitancia @ Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | Die |
Paquete de dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
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