Infineon Technologies IRFB33N15DPBF

Numero de parte: IRFB33N15DPBF
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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1,000 pcs
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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IRFB33N15DPBF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	33A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2020pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3