Infineon Technologies IRF7855PBF

Numero de parte: IRF7855PBF
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
0.89000/pcs
10 pcs
0.83800/pcs
100 pcs
0.66215/pcs
500 pcs
0.51351/pcs
1,000 pcs
0.40541/pcs

Total:0.89000/pcs

Unit Price:

0.89000/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IRF7855PBF
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1560pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)