Infineon Technologies IPD50R2K0CEAUMA1

Numero de parte: IPD50R2K0CEAUMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Parámetro del producto

Numero de parte	IPD50R2K0CEAUMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	13V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	124pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 600mA, 13V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63