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| Numero de parte | DMG4712SSS-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2296pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | Schottky Diode (Body) |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.55W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC
En stock: 2216
