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| Artikelnummer | IRF9Z14PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 43W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 15A 8-SO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC
Auf Lager: 4000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A 8-SO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
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