Artikelnummer | IRF9640STRRPBF |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 125W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 6.6A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D2PAK |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
Auf Lager: 1042
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
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