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| Artikelnummer | SSM3K310T(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.8nC @ 4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 4A, 4V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSM |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
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