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| Artikelnummer | SSM3J35CTC,L3F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CST3C |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.5A
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