Artikelnummer | PSMN5R6-100PS,127 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 141nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8061pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 306W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 25A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Auf Lager: 4316
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Auf Lager: 3848
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK
Auf Lager: 6000
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Auf Lager: 4000
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V LFPAK56
Auf Lager: 1500
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Auf Lager: 4500