Artikelnummer | PSMN4R8-100BSEJ |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tj) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 278nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 405W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 25A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D2PAK |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: PSMN4R1-60YL/SOT669/LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
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