Artikelnummer | JANTXV1N965B-1 |
---|---|
Teilstatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 15V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (Max) (Zzt) | 16 Ohm |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 11.4V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-35 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Auf Lager: 87
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Auf Lager: 100
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Auf Lager: 39
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Auf Lager: 36
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Auf Lager: 4