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| Artikelnummer | IXTH24P20 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXTH) |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
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