Artikelnummer | IXTA180N10T |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 480W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 25A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXTA) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
Auf Lager: 29
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Auf Lager: 55
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
Auf Lager: 550
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Auf Lager: 107
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
Auf Lager: 596