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| Artikelnummer | IRF6201PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8555pF @ 16V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.45 mOhm @ 27A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 130A
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Auf Lager: 0
