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| Artikelnummer | BSP88E6327 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 240V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 108µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 4SOT223
Auf Lager: 7000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 4SOT223
Auf Lager: 3000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
Auf Lager: 0
