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| Artikelnummer | BSC016N06NSATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 95µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Auf Lager: 20000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Auf Lager: 25000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
Auf Lager: 5000
