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Artikelnummer | MBR60020CTRL |
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Teilstatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Dioden-Typ | Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 300A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3mA @ 20V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Twin Tower |
Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
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