Artikelnummer | DMP4047LFDE-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23.2nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1382pF @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 4.4A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type E) |
Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
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