Artikelnummer | DMP2060UFDB-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 881pF @ 10V |
Leistung max | 1.4W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type B) |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
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