Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMN62D0LFB-7B

Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7B

Artikelnummer
DMN62D0LFB-7B
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DMN62D0LFB-7B
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 470mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 3-X1DFN1006
Paket / Fall 3-UFDFN
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